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SMC真空·破壞單元選擇要點(diǎn)VQD1000-V-05-5

SMC真空·破壞單元選擇要點(diǎn)VQD1000-V-05-5

  • 所屬分類(lèi):日本SMC/SMC電磁閥
  • 瀏覽次數(shù):
  • 發(fā)布日期:2019-09-07
  • 產(chǎn)品概述
  • 性能特點(diǎn)
  • 技術(shù)參數(shù)

SMC真空·破壞單元選擇要點(diǎn)VQD1000-V-05-5

技術(shù)參數(shù)

閥規(guī)格

閥構(gòu)造                      直動(dòng)式座閥

使用流體                     空氣、惰性氣體/臭氧對(duì)策品

1.jpg

使用壓力范圍  吸著(負(fù)壓)        0~-100kPa

             破壞(正壓)         0~0.7MPa

響應(yīng)時(shí)間      吸著(OFF)         2±1msec

              破壞(ON)         4±1msec

吸入流量/聲速流導(dǎo)              16l/min/0.27dm3/(s·bar)

手動(dòng)操作                    非推定鎖壓式

耐沖擊/耐振動(dòng)               150/30m/s2

安裝方式                    自由

保護(hù)構(gòu)造                   防塵

電氣規(guī)格

線圈額定電壓                   DC24V、DC12V

允許額定電壓                    額定電壓±10%  

線圈絕緣種類(lèi)                    相當(dāng)B種

消耗功率     VQD1151W(切換用)     3.2W省電型(起動(dòng)3.2W、保持2.4W)

           10-VQ110(破壞供給用)   1W

導(dǎo)線引出方式               L型、M型插座式(帶指示燈·過(guò)電壓保護(hù)回路)

警告 

關(guān)于連續(xù)通電

因與環(huán)境溫度及通電時(shí)間有關(guān),線圈溫度變高,故不要用手

直接接觸閥。

有手直接觸及的危險(xiǎn)性的場(chǎng)合應(yīng)設(shè)置保護(hù)罩。

注意

3位以上同時(shí)通電的場(chǎng)合,通電、不通電應(yīng)交替排列為好。

不得已3位以上同時(shí)通電使用的場(chǎng)合,通電時(shí)間應(yīng)在30分鐘

以內(nèi),及通電比率在50%以下。

SMC真空·破壞單元選擇要點(diǎn)VQD1000-V-05-5

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