好銷量日本歐姆龍方型接近開關(guān)-ZX-EM02H

    好銷量日本歐姆龍方型接近開關(guān)-ZX-EM02H

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    地址：上海嘉定區(qū)嘉涌路99弄6號樓713

    □□2型：NC 詳情請參見catalog上的“輸入輸出段回路圖”的時序圖

    E2S-W24E2S-Q23    E2S-Q24E2S-W15

    詳情請參見catalog上的“輸入輸出段回路圖”的時序圖

    電源電壓(使用電壓范圍)DC12～24V 紋波(p-p) 10%以下(DC10～30V)

    直流3線式    E2S-Q16E2S-W25    保護回路電源逆接保護、浪涌吸收

    型號 項目E2S-W13    響應(yīng)頻率1kHz以上    項目 型號E2S-□□□

    E2S-Q14E2S-W23    應(yīng)差檢測距離的10%以下

    測量條件：使用標(biāo)準(zhǔn)檢測物體、檢測物體的間隔為標(biāo)準(zhǔn)檢測物體的2倍、設(shè)定距離為檢測距離的1/2。

    殘留電壓1V以下(負載電流50mA、導(dǎo)線長1m時)

    □□2型：動作顯示(紅色)    * 響應(yīng)頻率為平均值。

    檢測面上面前面上面前面    應(yīng)差檢測距離的10%以下

    環(huán)境溫度范工作時：-25～+70℃、保存時：-40～+85℃ (無結(jié)冰、結(jié)露)

    □□3型：NO    * 響應(yīng)頻率為平均值。

    標(biāo)準(zhǔn)檢測物體鐵12×12×1mm鐵15×15×1mm

    響應(yīng)頻率1kHz以上    殘留電壓3V以下(負載電流50mA、導(dǎo)線長1m時)

    E2S-Q26    設(shè)定距離0～1.2mm0～1.9mm0～1.2mm0～1.9mm

    絕緣電阻50MΩ以上(DC500V兆)充電部整體與外殼間

    可檢測物體磁性金屬(非磁性金屬的檢測距離較短。請參見catalog上的“特性數(shù)據(jù)”)

    電壓的影響在額定電源電壓的±10%范圍內(nèi)，額定電源電壓時，檢測距離的±2.5%以下

    指示燈□□1型：動作顯示(紅色)、設(shè)定顯示(綠色)

    溫度的影響-25～+70℃的溫度范圍內(nèi)+23℃時，檢測距離的±15%以下

    檢測距離1.6mm±15%2.5mm±15%

    消耗電流13mA以下(DC24V時、無負載時)

    詳情請參見catalog上的“輸入輸出段回路圖”的時序圖

    動作模式(靠近檢測物體時)    □□5型：NO

    檢測面上面前面上面前面上面前面上面前面

    測量條件：使用標(biāo)準(zhǔn)檢測物體、檢測物體的間隔為標(biāo)準(zhǔn)檢測物體的2倍、設(shè)定距離為檢測距離的1/2。

    標(biāo)準(zhǔn)檢測物體鐵12×12×1mm鐵15×15×1mm鐵12×12×1mm鐵15×15×1mm

    漏電流0.8mA以下    控制輸出開關(guān)電容量3～50mA以下

    電源電壓(使用電壓范圍)DC12～24V 紋波(p-p) 10%以下(DC10～30V)

    耐電壓AC1,000V 1min 充電部整體與外殼間

    環(huán)境濕度范圍工作時：35～90%RH、保存時：35～95%RH (無結(jié)露)

    可檢測物體磁性金屬(非磁性金屬的檢測距離較短。請參見catalog上的“特性數(shù)據(jù)”)

    動作模式(靠近檢測物體時)□□1型：NO

    檢測距離1.6mm±15%2.5mm±15%1.6mm±15%2.5mm±15%

    設(shè)定距離0～1.2mm0～1.9mm

    E2S-W14E2S-Q13    E2S-W16E2S-Q15    E2S-W26E2S-Q25

    □□4型：NC    □□6型：NC    指示燈動作顯示(橙色)    規(guī)格

    控制輸出開關(guān)電容NPN集電極開路輸出 50mA以下(DC30V以下)PNP集電極開路輸出 50mA以下(DC30V以下)

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